Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления
Приложение 1. Основные физические константы
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 20 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
1. Цели и задачи лабораторной работы
2. Теоретическое введение. Физические аспекты получения тонкопленочных структур методом магнетронного напыления
+
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
+
4. Методика выполнения лабораторной работы по магнетронному напылению
+
Контрольные вопросы
Библиографический список
Приложение 1. Основные физические константы
Приложение 2. Ведомость процесса выращивания кристаллических пленок на установке магнетронного распыления SunPla-40
Данный блок поддерживает скрол*