Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология материалов электронной техники. Атомно- молекулярные процессы кристаллизации
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия
Поставить закладку
5.1. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
1. Атомная структура кристаллической поверхности
+
2. Поверхностная энергия и энергия связи атомов
+
3. Адсорбция, диффузия и испарение на кристаллической поверхности
+
4. Начальные стадии кристаллизации
+
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия
-
5.1. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии
5.2. Расчет скорости роста эпитаксиального слоя GaAs на кремниевой подложке при молекулярно-лучевой эпитаксии
Вопросы и задачи
Библиографический список
Приложение 1. Справочные данные
Приложение 2. Руководство для пользователя программой "Моделирование процессов молекулярно-лучевой эпитаксии"
Данный блок поддерживает скрол*