Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология материалов электронной техники. Атомно- молекулярные процессы кристаллизации
4. Начальные стадии кристаллизации
Поставить закладку
4.1. Работа и скорость гомогенного образования зародышей
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
1. Атомная структура кристаллической поверхности
+
2. Поверхностная энергия и энергия связи атомов
+
3. Адсорбция, диффузия и испарение на кристаллической поверхности
+
4. Начальные стадии кристаллизации
-
4.1. Работа и скорость гомогенного образования зародышей
4.2. Гетерогенное образование зародышей
Вопросы и задачи
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия
+
Библиографический список
Приложение 1. Справочные данные
Приложение 2. Руководство для пользователя программой "Моделирование процессов молекулярно-лучевой эпитаксии"
Данный блок поддерживает скрол*