Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Электронная аппаратура. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Силовые модули
3. Основные конструктивы IGBT-модулей
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Обозначения физических величин
Условные сокращения
Предисловие
1. IGBT. Общие вопросы и технологии структур
+
2. Надежность и диагностирование параметров IGBT-модулей
+
3. Основные конструктивы IGBT-модулей
-
3.1. Конструктивные особенности, общие технологии и материалы, применяемые в производстве модулей
3.2. Конструктивы IGBT-модулей
3.2.1. IGBT-модули отечественных фирм
3.2.2. IGBT-модули компании Semikron
3.2.3. IGBT-модули фирмы Infineon
3.2.4. IGBT-модули фирмы Mitsubishi Electric и Fuji Electric
3.2.5. IGBT-модули других фирм и компаний
3.3. Системы охлаждения модулей
3.3.1. Пассивное охлаждение
3.3.2. Активное охлаждение модулей
Контрольные вопросы
Список литературы
4. Управление и режимы работы IGBT-модулей
+
Контрольные вопросы
Список литературы
Приложение 1. Характеристики ТПМ в виде паст
Приложение 2. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay
Приложение 3. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay
Приложение 4. Основные характеристики высоконадежных конденсаторов компании Vishay
Приложение 5. Примеры основных характеристик катушек индуктивности компании Vishay
Приложение 6. Паразитные элементы IGBT-структуры
Данный блок поддерживает скрол*