Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Материалы и устройства наноэлектроники. Электроника после Мура

Глава 7. Полупроводниковые квантовые точки - физические механизмы, синтез, применение

7.1. Физические основы квантовых точек
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 7. Полупроводниковые квантовые точки - физические механизмы, синтез, применение
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 7. Полупроводниковые квантовые точки - физические механизмы, синтез, применение-
7.1. Физические основы квантовых точек
7.2. Оптические и электронные свойства квантовых точек
7.3. Поверхностные молекулы - стабилизаторы квантовых точек
7.4. Методы реализации квантовых точек
7.4.1. Введение в проблему
7.4.2. Методы формирования тонких пленок
7.4.3. Технология Ленгмюра - Блоджетт
7.4.4. Формирование монослоев квантовых точек на границе раздела "жидкость - газ"
7.4.5. Стабильность монослоев на границе раздела "жидкость - газ"
7.4.6. Предельная минимальная площадь монослоев квантовых точек
7.4.7. Влияние температуры субфазы на ленгмюровские монослои
7.4.8. Методы молекулярно-лучевой и мосгидридной газофазовой эпитаксии
7.4.9. Метод коллоидного синтеза
7.4.10. Эпитаксиальные квантовые точки
7.4.11. Жидкие кристаллы
7.4.12. Ленгмюровские монослои жидкого кристалла
7.4.13. Ленгмюровские монослои смесей поверхностно-активных веществ
7.4.14. Композитный материал на основе квантовых точек и жидкого кристалла
7.5. Методы компьютерного моделирования квантовых точек
Данный блок поддерживает скрол*