Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы микроэлектроники
ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Принятые обозначения и сокращения
Введение
ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ
+
ГЛАВА 2. ЭЛЕМЕНТЫ АТОМНОЙ И КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ
+
ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
-
3.1. Функция распределения электронов по состояниям. Уровень Ферми
3.2. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Уровень Ферми в собственном полупроводнике
3.3. Концентрация электронов и дырок в примесных полупроводниках
3.4. Движение носителей заряда в полупроводниках
Литература к главе 3
ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ГРУППЫ ДИОДОВ
+
ГЛАВА 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 8. ТИРИСТОРЫ
+
ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
+
Данный блок поддерживает скрол*