Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Полупроводниковая электроника

2. Диоды и транзисторы

Предыдущая страница

Следующая страница

2. Диоды и транзисторы
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

2. Диоды и транзисторы-
2.1. Высокочастотные диоды
2.2. Время жизни носителей заряда и последовательное сопротивление ВЧ p i n-диодов
2.2.1. Измерение электрических параметров p i n-диодов
2.3. Определение ёмкостей биполярных транзисторов
2.3.1. Измерение ёмкостей CCB, CCE и CEB
2.4. Определение параметров малосигнального ВЧ транзистора путём измерения трёх параметров
2.4.1. Измерение S-параметров транзисторов
2.4.2. Установка для измерения коэффициента шума транзистора
2.4.3. Установка для измерения коэффициента шума смесителя
2.4.4. Измерение значения точки интермодуляции третьего порядка (IP3)
2.5. Биполярные ВЧ транзисторы
2.5.1. SIEGET
2.5.2. Применение
2.5.3. Кремний-германиевые транзисторы
2.6. Кремниевые монолитные СВЧ интегральные схемы (MMIC) упрощают разработку
2.6.1. Три схемы устройств
2.6.2. Мобильные телефоны - не единственная область применения MMIC
2.7. Стабилизация тока при помощи стабилизатора рабочей точки BCR 400
2.7.1. Принцип действия
2.7.2. Зависимость от внешних факторов
Данный блок поддерживает скрол*