Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы проектирования субмикронных микросхем

Глава 13. Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники

Предыдущая страница

Следующая страница

Глава 13. Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 13. Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники-
13.1. Форсайт как инструмент долгосрочного прогнозирования научно-технического развития
13.2. Основные направления развития современной микроэлектроники
13.3. Использование новых материалов
13.4. Смена драйверов развития
13.5. Особенности экономики субмикронного производства
13.6. Усиление деструктивного действия эффекта Yield Killer
13.7. Состояние и перспективы развития технологии FinFET в Китае
13.8. Технологические проблемы современной микроэлектроники
13.9. Тенденции развития космической микроэлектроники
13.10. Интегральная фотоника - новый этап в развитии микроэлектроники
13.11. Основы квантовой микроэлектроники
13.12. Изменение парадигмы проектирования микросхем
13.13. Современная микроэлектроника и кибербезопасность
13.14. Принципиальные отличия "отечественных" и "зарубежных" концепций разработки и использования ЭКБ при проектировании РЭА
13.15. Микроэлектронная промышленность как основа суверенитета России
Литература к главе 13
Данный блок поддерживает скрол*