Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Поставить закладку
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
Данный блок поддерживает скрол*