Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы

Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы-
7.1. Физические механизмы воздействия радиации на субмикронные КМОП интегральные микросхемы
7.2. Воздействие радиации на аналоговые биполярные интегральные микросхемы
7.3. Основные методы обеспечения радиационной стойкости интегральных микросхем
7.4. Радиационная стойкость современных и перспективных ИМС
7.5. Рекомендуемый набор тестовых элементов для экспериментальных исследований влияния радиационных воздействий на характеристики кремниевых микросхем
7.6. Оборудование и методики облучения тестовых структур и исследуемых образцов микросхем
7.7. Методика измерения электрических параметров тестовых структур после радиационной обработки
7.8. Экспериментальные результаты воздействия электронного облучения на параметры эпитаксиальных кремниевых p-n-структур
7.9. Экспериментальные результаты исследования воздействия проникающей радиации на параметры биполярных транзисторных структур
7.10. Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на параметры биполярных аналоговых интегральных микросхем
7.11. Экспериментальные результаты исследований воздействия ионизирующих излучений на параметры транзисторных МОП-структур и интегральных микросхем на их основе
7.12. Особенности применения имитационных методов исследования радиационных эффектов в БиКМОП микросхемах
Литература к главе 7
Данный блок поддерживает скрол*