Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением
Глава 3. Стабилизация и управление реактивным разрядом с помощью внешних по отношению к разряду устройств контроля
Поставить закладку
3.1. Контроль по парциальному давлению реактивного газа
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Сведения об авторах
Введение. Особенности реактивного магнетронного распыления
Глава 1. Причины нестабильности реактивного распыления
+
Глава 2. Механизмы взаимодействия реактивного газа с поверхностью мишени
+
Глава 3. Стабилизация и управление реактивным разрядом с помощью внешних по отношению к разряду устройств контроля
-
3.1. Контроль по парциальному давлению реактивного газа
3.2. Контроль реактивного процесса по парциальному давлению паров распыляемого материала, оцененному по их оптическому излучению
Глава 4. Изменение электрических параметров реактивного разряда при изменении состояния поверхности мишени
+
Глава 5. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления по электрическим параметрам разряда
+
Глава 6. Достижение долговременной стабильности процесса реактивного магнетронного распыления
+
Глава 7. Влияние температуры мишени на процесс реактивного распыления
+
Глава 8. Влияние температуры подложки на скорость роста и состав пленки в реактивном процессе
Глава 9. Особенности проведения, контроля и стабилизации реактивного HiPIMS-процесса
+
Глава 10. Альтернативные способы устранения гистерезиса из характеристик реактивного процесса
+
Глава 11. Некоторые способы повышения эффективности процессов реактивного нанесения тонких пленок
+
Глава 12. Заключительная
+
Литература
Данный блок поддерживает скрол*