Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы схемотехники микроэлектронных устройств
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие Ж.И. Алфёрова
Предисловие
Введение
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
-
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов
1.2. Анализ работы МОП-транзистора с длинным каналом
1.3. Анализ физических процессов, происходящих в субмикронном МОП-транзисторе
Литература к главе 1
Глава 2. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 3. Общая характеристика цифровых БИС
+
Глава 4. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП-транзисторах
+
Глава 5. Схемотехника цифровых БИС на биполярных транзисторах
+
Глава 6. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП и биполярных транзисторах
+
Глава 7. Принципы организации интерфейса в системах обработки информации
+
Глава 8. Интерфейсные БИС
+
Заключение
Данный блок поддерживает скрол*