Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
/
/
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
+
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
-
7.1. Факторы, влияющие на неоднородность толщины покрытия при нереактивном процессе
7.2. Дополнительные причины неравномерности распыления при реактивном распылении
7.3. Выравнивание неоднородностей нанесенной пленки локальной регулируемой подачей реактивного газа или аргона
Литература
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
+
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Данный блок поддерживает скрол*