Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Методы исследования процессов кристаллизации
ГЛАВА 6. ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ
Поставить закладку
6.1. Термическое испарение как метод получения пленок
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 2 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. РАВНОВЕСИЕ ФАЗ. ПЛОСКАЯ ГРАНИЦА РАЗДЕЛА ФАЗ
+
ГЛАВА 2. РАВНОВЕСИЕ ФАЗ В СЛУЧАЕ ИСКРИВЛЕННОЙ МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ
+
ГЛАВА 3. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
+
ГЛАВА 4. ТЕРМОМИГРАЦИЯ. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЯ
+
ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОМИГРАЦИИ
+
ГЛАВА 6. ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ
-
6.1. Термическое испарение как метод получения пленок
6.2. Вакуум в тонкопленочной технологии
6.3. Гетерогенное образование зародышей
6.4. Режимы роста тонких пленок
6.5. Испарители с резистивным нагревом
ГЛАВА 7. ОСОБЕННОСТИ ИСПАРЕНИЯ СОЕДИНЕНИЙ
+
ГЛАВА 8. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК СУЛЬФОИОДИДА СУРЬМЫ МЕТОДОМ КВАЗИЗАМКНУТОГО ОБЪЕМА
+
Литература
Данный блок поддерживает скрол*