Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии
5. Лазерно-стимулированное осаждение диэлектрических пленок
Поставить закладку
5.1. Фотостимулированное осаждение диэлектрических пленок SiO2 и Si3N4 с применением моно- и дисилана
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Взаимодействие фотонного излучения с полупроводниковой поверхностью
+
2. Рекристаллизация аморфных и поликристаллических кремниевых слоев лазерным излучением
+
3. Лазерное легирование
4. Лазерно-стимулированное формирование контактов
+
5. Лазерно-стимулированное осаждение диэлектрических пленок
-
5.1. Фотостимулированное осаждение диэлектрических пленок SiO2 и Si3N4 с применением моно- и дисилана
5.2. Осаждение пленок оксида кремния из кремнийсодержащих органических соединений
5.2.1. Модель процесса фотоосаждения
6. Лазерное осаждение металлов
+
7. Лазерно-стимулированные эпитаксиальные процессы осаждения кремниевых слоев
+
8. Лазерно-стимулированное осаждение эпитаксиальных слоев соединений АIIIВV и АIIВVI
+
9. Лазерная технология создания перспективной элементной базы СБИС. Планаризация микроструктур
+
Заключение
Список литературы
Данный блок поддерживает скрол*