Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы физики полупроводников
Глава 7. Поведение избыточных (неравновесных) носителей заряда в полупроводниках
Поставить закладку
7.1 . Введение
7.2. Нейтрализация пространственного заряда
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 5 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Симметрия кристаллов
+
Глава 2. Колебания, волны и разложения в ряды Фурье
+
Глава 3. Колебания кристаллической решетки
+
Глава 4. Электроны в идеальном кристалле
+
Глава 5. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
+
Глава 6. Кинетические явления в полупроводниках
+
Глава 7. Поведение избыточных (неравновесных) носителей заряда в полупроводниках
-
7.1 . Введение
7.2. Нейтрализация пространственного заряда
7.3. Дрейфнеравновесных носителей заряда
7.4. Расплывание пакета
7.5. Эффект Дембера
7.6. Рекомбинация избыточных носителей в полупроводниках
7.7. Нелинейная теория рекомбинации
7.8. Дрейфовая длина и диффузионная длина
7.9. Неустойчивость тока в полупроводниках
Задачи
Глава 8. Оптические свойства полупроводников
+
Глава 9. Кинетические явления в полупроводниках в магнитном поле
+
Книги по физике полупроводников
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*