Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков

ГЛАВА 1 ПОЛЕВЫЕ И БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Предыдущая страница

Следующая страница

ГЛАВА 1 ПОЛЕВЫЕ И БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

ГЛАВА 1 ПОЛЕВЫЕ И БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ-
1.1 ВЫБОР КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО БАЗИСА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ
1.2 ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ И ВОЗДЕЙСТВИИ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ
1.2.1 Измеряемые параметры и характеристики транзисторов
1.2.2 Методики определения параметров операционных усилителей
1.2.3 Средства измерений и программное обеспечение
1.2.4 Установка для проведения низкотемпературных измерений
1.3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ И ВОЗДЕЙСТВИИ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ
1.3.1 Изучаемые интегральные элементы
1.3.2 Результаты измерений SiGe n-p-n-транзисторов [19, 31, 32]
1.3.3 Результаты измерений транзисторов АБМК-1.3 [54-57]
1.3.4 Результаты измерений транзисторов 3CBiT [58-60]
1.3.5 Результаты измерений CJFET ОАО "Интеграл" [61-63]
1.3.6 Результаты измерений CJFET "НПП "Пульсар" [64]
Данный блок поддерживает скрол*