Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Приборы квантовой и оптической электроники: светоизлучающие и лазерные структуры
6. Полупроводниковые лазеры
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Оптическое излучение. Основные понятия и параметры
+
2. Источники света, используемые в современной оптоэлектронике
3. Физические принципы полупроводниковых источников излучения
+
4. Генерация лазерного излучения в полупроводниках
+
5. Полупроводниковые источники некогерентного излучения
+
6. Полупроводниковые лазеры
-
6.1. Принцип действия и коэффициент оптического усиления лазеров на p-n-переходе
6.2. Порог генерации лазера
6.3. Выходная мощность стационарной генерации инжекционных лазеров
6.4. Внешний дифференциальный квантовый выход генерации (hd)
6.5. Устройство и спектр генерации инжекционных лазеров
6.6. Инжекционные гетеролазеры на односторонней и двухсторонней гетероструктурах
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*