Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций
5. Эпитаксиальные методы выращивания наногетероструктур
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 9 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения и сокращения
Предисловие
1. Основные понятия физики полупроводниковых материалов
2. Cвойства p-n-перехода
3. Гетеропереходы
4. Квантование энергии электронов. Сверхрешетки. Квантово-размерные объекты
5. Эпитаксиальные методы выращивания наногетероструктур
6. Полупроводниковые приборы
7. Краткий обзор развития транзисторов, светоизлучающих диодов и лазеров. Примение светоизлучающих диодов
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*