Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
+
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
+
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
-
6.1. Общее описание ионизационных дозовых эффектов в изделиях биполярной технологии
6.2. Особенности ионизационных дозовых эффектов в биполярных приборах и микросхемах при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
6.3. Возможные физические механизмы, приводящие к повышенной деградации биполярных изделий при низкоинтенсивном радиационном облучении
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*