Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
Поставить закладку
5.1. Особенности строения структуры Si/SiO2
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
+
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
-
5.1. Особенности строения структуры Si/SiO2
5.2. Методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
5.3. Физические процессы в МОП-структурах при радиационном облучении
5.4. Зависящие от времени радиационные эффекты в изделиях на основе МОП-структур
5.5. Особенности дозовых испытаний полупроводниковых приборов и микросхем на основе МОП- и КМОП-структур
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
+
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*