Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
Поставить закладку
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
-
3.1. Деградация характеристик диодных структур на основе р-n-перехода
3.2. Деградация характеристик диодов Шоттки на основе карбида кремния
3.3. Деградация характеристик диодов Шоттки на основе соединений AIIIBV
3.4. Деградация биполярных транзисторов
3.5. Деградация характеристик полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
3.6. Деградация высокоскоростных полевых транзисторов на основе полупроводниковых соединений
3.7. Влияние эффектов смещений на деградацию МОП-структур
3.8. Деградация кремниевых интегральных схем вследствие дефектов смещения
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
+
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
+
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*