Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Поставить закладку
2.1. Образование структурных повреждений в полупроводниках (эффекты смещения)
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
-
2.1. Образование структурных повреждений в полупроводниках (эффекты смещения)
2.2. Ионизация при радиационном облучении полупроводников и диэлектриков
2.3. Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
2.4. Изменение характеристик полупроводников при радиационном облучении
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
+
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
+
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
+
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*