Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники
2. Примеры моделирования новых приборов
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Документация для моделирования
+
2. Примеры моделирования новых приборов
-
2.1. Файлы новых приборов
2.1.1. Приборный файл диода с Шоттки-барьером на основе Si
2.1.2. Приборный файл светодиода на основе гетероструктур AlGaInP
2.1.3. Приборный файл фототранзистора на основе гетероструктур AlGaAs
2.1.4. Приборный файл лазера с вертикальным резонатором
2.2. Файлы новых материалов
2.2.1. Файл для системы твердых растворов AlGaAs и GaAs
2.2.2. Файл для системы твердых растворов AlGaInP
2.2.3. Файл для системы твердых растворов AlGaInN: GaN, InN, AlN, AlGaN, InGaN
2.3. Моделирование диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs
2.4. Пример выполнения курсовой работы на тему "Моделирование солнечного элемента на основе гетероструктур AlGaAs"
2.4.1. Аналитический обзор
2.4.2. Моделирование солнечных элементов
3. Физические основы программы SimWindows
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*