Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
4. ОСОБЕННОСТИ ДЕГРАДАЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ЭФФЕКТ ELDRS)
Поставить закладку
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Оглавление
Условные обозначения
Введение
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
+
2. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР ВСЛЕДСТВИЕ ВВЕДЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
+
3. ДОЗОВЫЕ ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СТРУКТУРЕ Si/SiO2 И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ
+
4. ОСОБЕННОСТИ ДЕГРАДАЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ЭФФЕКТ ELDRS)
-
4.1. Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
4.2. Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
4.3. Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
4.4. Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
4.5. Выводы
5. ОДИНОЧНЫЕ СОБЫТИЯ В БИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*