Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
3. ДОЗОВЫЕ ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СТРУКТУРЕ Si/SiO2 И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Оглавление
Условные обозначения
Введение
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
+
2. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР ВСЛЕДСТВИЕ ВВЕДЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
+
3. ДОЗОВЫЕ ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СТРУКТУРЕ Si/SiO2 И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ
-
3.1. Особенности строения структуры Si/SiO2
3.2. Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
3.3. Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
3.4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
3.5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП- и КМОП-структур
4. ОСОБЕННОСТИ ДЕГРАДАЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ЭФФЕКТ ELDRS)
+
5. ОДИНОЧНЫЕ СОБЫТИЯ В БИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*