Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
2. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР ВСЛЕДСТВИЕ ВВЕДЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
/
/
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Оглавление
Условные обозначения
Введение
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
+
2. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР ВСЛЕДСТВИЕ ВВЕДЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
-
2.1. Диодные структуры
2.2. Транзисторные структуры
2.3. Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов
3. ДОЗОВЫЕ ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СТРУКТУРЕ Si/SiO2 И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ
+
4. ОСОБЕННОСТИ ДЕГРАДАЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ЭФФЕКТ ELDRS)
+
5. ОДИНОЧНЫЕ СОБЫТИЯ В БИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*