Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
Поставить закладку
3.1. Аппаратура для ХОГФ
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы
+
Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ
+
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
-
3.1. Аппаратура для ХОГФ
3.2. Основные параметры процессов ХОГФ в проточных реакторах
3.3. Характеристики вакуумных систем установок ХОГФ
3.3.1. Вакуумные насосы
3.3.2. Измерение давления
3.3.3. Регулировка давления
3.3.4. Проверка герметичности вакуумных установок
3.4. Температурные режимы оборудования ХОГФ
3.5. Плотность ВЧ-мощности при плазменном осаждении
3.6. Методика осаждения ТП в проточных реакторах
Вопросы для самопроверки по главе 3
Дополнительная литература к главе 3
Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ
+
Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*