Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники
Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ
Поставить закладку
2.1. Тонкослойные материалы в ИМС
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы
+
Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ
-
2.1. Тонкослойные материалы в ИМС
2.2. Краткие физико-химические основы ХОГФ
2.3. Химические реакции
2.4. Основные функциональные зависимости ХОГФ
2.5. Проблематика ХОГФ для технологий ИМС
2.5.1. Исходные химические вещества
2.5.2. Конструкция реакционных камер для ХОГФ
2.5.3. Макродефектность тонких пленок
2.5.4. Покрытие ступенек и заполнение узких зазоров
2.5.5. Контроль качества и оптимизация процессов ХОГФ
Заключение по главе 2
Вопросы для самопроверки по главе 2
Дополнительная литература к главе 2
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
+
Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ
+
Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*