Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 4
Глава 4. ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ. АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
Введение
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 14 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Глава 4. ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ. АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
Введение
-
4.1. Выбор малосигнальной электрической эквивалентной схемы ПТШ
4.2. Обзор результатов исследования физики работы GaAs ПТШ с помощью математических моделей
4.3. Аналитическая модель GaAs ПТШ
4.3.1. Режим работы ПТШ с управлением тока канала ОПЗ БШ
4.3.2. Учет в физико-топологической модели и эквивалентной схеме мощного СВЧ ПТШ распределенных эффектов структуры
4.3.3. Паразитные межэлектродные емкости ПТШ
4.3.4. Паразитные емкости корпуса
4.3.5. Параметры переноса носителей заряда (электронов)
4.4. Моделирование мощного СВЧ ПТШ на GaAs. Учет саморазогрева канала и влияния температуры окружающей среды
4.4.1. Определение температуры в канале ПТШ
4.4.2. Температурные зависимости параметров GaAs и барьера Шоттки
4.4.3. Определение теплового сопротивления мощного ПТШ
4.4.4. Экспериментальная проверка результатов расчета ВАХ, зависимостей элементов СВЧ ЭС ПТШ от режима смещения и S-параметров при прямом монтаже кристалла ПТШ
4.5. Температурные изменения параметров GaAs ПТШ
4.6. Влияние субмикронной длины затвора на характеристики GaAs ПТШ
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*