Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Методы литографии в наноинженерии. Кн. 9

1. КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ

Предыдущая страница

Следующая страница

1. КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

1. КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ-
1.1. Современное состояние и тенденции развития технологических операций проекционной литографии при производстве КМОП СБИС
1.2. Используемые материалы и применяемое литографическое оборудование при производстве КМОП СБИС с наноразмерными элементами
1.3. Нанесение резиста на поверхность кремниевой пластины
1.4. Формирование в пленке резиста скрытого изображения (экспонирование) посредством проекционной оптики и его ключевые физические ограничения в части разрешающей способности
1.5. Основные физико-химические характеристики ДХН-новолачных I-LINE-резистов
1.6. Способы повышения разрешающей способности процесса проекционной литографии
1.7. Критерии оценки качества процесса проекционной литографии
1.8. Современные системы компьютерного (TCAD) моделирования литографических процессов и тенденции их развития
Данный блок поддерживает скрол*