Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
-
10.1. Структура энергопотребления в схемах КМОП-технологии
10.2. Токи утечки как ограничитель развития технологии
10.3. Классификация токов утечки современных МОПТ
10.4. Прямое туннелирование через подзатворный окисел
10.5. Механизм Фаулера-Нордгейма
10.6. Токи утечки через p-n-переход стока
10.7. Токи утечки стока, индуцированные затвором (GIDL)
10.8. Использование high-K-диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью
10.9. Проблемы использования high-K-диэлектриков
10.10. Временной диэлектрический пробой подзатворного окисла (TDDB)
10.11. Модели временного диэлектрического пробоя подзатворного окисла
10.12. Подпороговые токи утечки
10.13. Разброс пороговых напряжений транзисторов на одном чипе
10.14. Статистическое распределение подпороговых токов за счет разброса пороговых напряжений
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*