Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
-
9.1. Электростатика полностью обедненного КНИ МОПТ
9.2. Пороговое напряжение полностью обедненного КНИ МОПТ
9.3. Включение МОПТ с нижним затвором
9.4. Влияние смещения на подложке на пороговое напряжение основного канала
9.5. Вырожденный канал
9.6. Уравнение непрерывности для плотности тока в канале
9.7. Решение уравнения непрерывности в канале
9.8. Распределение плотности электронов вдоль канала
9.9. Вольт-амперная характеристика КНИ МОПТ
9.10. Надпороговый режим работы полностью обедненного КНИ МОПТ
9.11. Моделирование подпороговой характеристики полностью обедненного КНИ МОПТ
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*