Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
-
8.1. Преимущества КНИ МОПТ
8.2. Различные конфигурации КНИ МОПТ
8.3. Частично обедненные КНИ МОПТ
8.4. Кинк-эффект в частично обедненных КНИ МОПТ
8.5. Паразитный биполярный эффект
8.6. Полностью обедненные КНИ МОПТ
8.7. Эффекты саморазогрева
8.8. Влияние обратного напряжения на подложке на пороговое напряжение
8.9. Ультратонкие КНИ МОПТ
8.10. Сравнение полностью и частично обедненных КНИ МОПТ
8.11. Технологии многозатворных МОПТ
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*