Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
-
7.1. Исходные положения для построения модели
7.2. Электрохимический потенциал в канале МОПТ
7.3. Полная плотность тока в канале МОПТ
7.4. Отношение диффузионной и дрейфовой компонент тока как управляющий параметр
7.5. Уравнение непрерывности
7.6. Интегральное граничное условие
7.7. Распределение электрического и химического потенциалов вдоль канала
7.8. Общее выражение для тока в диффузионно-дрейфовой модели
7.9. Вольт-амперная характеристика в надпороговой области
7.10. Подпороговый режим
7.11. Время пролета электрона через канал
7.12. Транспортное уравнение Больцмана в канале
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*