Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
-
6.1. Квазидвумерная модель распределения сильных электрических полей в районе стока
6.2. Моделирование максимальных электрических полей в канале МОПТ
6.3. Горячие носители
6.4. Методы борьбы с горячими носителями
6.5. Разогрев носителей и "удачливые" электроны
6.6. Моделирование ударной ионизации в канале
6.7. Влияние тока подложки на работу МОПТ
6.8. Влияние горячих носителей на срок службы МОПТ
6.9. Методика прогнозирования срока службы транзистора в зависимости от воздействия горячих носителей
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*