Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ

5.1. Механизмы рассеяния носителей в канале
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ-
5.1. Механизмы рассеяния носителей в канале
5.2. Универсальная подвижность в надпороговом режиме
5.3. Зависимость подвижности от прижимающего поля и температуры
5.4. Повышение подвижности с использованием технологии напряженного кремния
5.5. Зависимость подвижности эффекта поля от спектра поверхностных состояний
5.6. Короткоканальные эффекты в МОП-транзисторах и электростатическое качество
5.7. Геометрические эффекты порогового напряжения
5.8. Эффект спада порогового напряжения для коротких каналов
5.9. Эффекты узкого канала и общая характеристика геометрических эффектов порога
5.10. Индуцированное стоком понижение барьера (DIBL)
5.11. Паразитные токовые эффекты короткого канала
5.12. Оптимизация структуры истоков и стоков
5.13. Моделирование выходного сопротивления МОПТ
5.14. Эффект модуляции длины канала
5.15. Паразитные сопротивления стока и истока
5.16. Паразитные емкости стока и истока
Данный блок поддерживает скрол*