Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник

3.1. Контактная разность потенциалов в МОП-структуре
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник-
3.1. Контактная разность потенциалов в МОП-структуре
3.2. Электростатика плоских слоев заряда
3.3. Электростатика МОП-структуры с однородно-легированной подложкой
3.4. Падение потенциалов в неоднородно-легированном полупроводнике
3.5. Учет напряжения, приложенного к затвору
3.6. Характерные затворные напряжения
3.7. Пороговое напряжение
3.8. Полный заряд в полупроводнике при заданном поверхностном потенциале
3.9. Плотность электронов в канале как функция поверхностного потенциала
3.10. Тепловая толщина инверсионного слоя (канала)
3.11. Зависимость эффективного прижимающего поля от затворного напряжения в надпороговом режиме
3.12. Контроль порогового напряжения за счет легирования подложки
3.13. Регулирование порогового напряжения за счет работы выхода материала затвора
3.14. Профили легирования
3.15. Спадающий профиль - HIGH-LOW
3.16. Нарастающий профиль. LOW-HIGH, ретроградное легирование
3.17. Легирование дельта-слоем
3.18. Заряженные ловушки вблизи и на границе раздела
3.19. Емкость инверсионного слоя
3.20. Полная емкость МОП-структуры
3.21. Учет влияния падения напряжения в затворе и инверсионном слое
3.22. Температурная зависимость порогового напряжения
Данный блок поддерживает скрол*