Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
-
2.1. Цифровая техника и логические вентили
2.2. Интегральные схемы и планарная технология
2.3. МОП-транзистор и КМОП-технология
2.4. Закон Мура
2.5. Технологическая (проектная) норма
2.6. Тактовая частота
2.7. Основные проблемы миниатюризации
2.8. Анализ проблемы тепловыделения
2.9. Проблема отвода тепла
2.10. Проблема диссипации тепла и обратимости вычисления
2.11. Адиабатическая логика
2.12. Оценка максимального быстродействия
2.13. Проблемы миниатюризации межсоединений
2.14. Принципы скейлинга
2.15. Компромиссы миниатюризации
2.16. Ограничения скейлинга
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*