Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 4
АвторыB.C. Данилов, Ю.Н. Раков
ИздательствоНовосибирский ГТУ
Год издания2011
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. ...
Downloaded
2017-12-11