АвторыКовалев А.Н.
Гетероструктурная наноэлектроника
ИздательствоМИСиС
Тип изданияучебное пособие
Год издания2009
Скопировать биб. запись
Для каталогаКовалев, А. Н. Гетероструктурная наноэлектроника : учебное пособие / Ковалев А. Н. - Москва : МИСиС, 2009. - 155 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_360.html (дата обращения: 27.12.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияПособие посвящено анализу нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3.. .1,5 мкм.<br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и направлению "Электроника и микроэлектроника".