АвторыМаняхин Ф.И.
Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности
ИздательствоМИСиС
Тип изданияучебно-методическое пособие
Год издания2002
Скопировать биб. запись
Для каталогаМаняхин, Ф. И. Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности : Метод. указания / Сост. Ф. И. Маняхин - Москва : МИСиС, 2002. - 65 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_170.html (дата обращения: 02.11.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияПриведена методика расчета основных параметров полупроводника - ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров - по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.<br> Описана интерактивная компьютерная расчетная программа в среде Mathcad, имитирующая реальную ситуацию экспериментального исследования свойств полупроводника по температурным зависимостям его основных параметров. <br>Приведено подробное поэтапное описание методики расчета, а также программа расчета в среде Mathcad с описанием файлов основной программы и субпрограмм.<br> Предлагаемая методика может быть использована как в учебном процессе, так и в научных исследованиях.<br> Пособие состоит из двух частей. Первая часть предназначена для студентов направлений 6541, 5531, 5507, обучающихся по специальностям 200100, 071000, выполняющих курсовую работу по физике твердого тела. Вторая часть предназначена для преподавателей, составляющих задания к курсовой работе.