АвторыЧулкова Г.М., Корнеев А.А., Смирнов К.В., Окунев О.В., Семенов А.В., Дивочий А.В., Тархов М.А., Воронов Б.М., Каурова Н.С, Селезнев В.А., Гольцман Г.Н.
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе
ИздательствоПрометей
Тип изданиямонография
Год издания2012
Скопировать биб. запись
Для каталогаЧулкова, Г. М. Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе : монография / Чулкова Г. М. , Корнеев А. А. , Смирнов К. В. , Окунев О. В. , Семенов А. В. , Дивочий А. В. , Тархов М. А. , Воронов Б. М. , Каурова Н. С, Селезнев В. А. , Гольцман Г. Н. - Москва : Издательство МПГУ, 2012. - 140 с. - ISBN 978-5-4263-0118-4. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785426301184.html (дата обращения: 21.11.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияМонография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электрон-фононное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интесивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фононами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.