АвторыПолисан А.А., Астахов В.П.
Материалы и элементы электронной техники: Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев
ИздательствоМИСиС
Тип изданияпрактикум
Год издания2007
Скопировать биб. запись
Для каталогаПолисан, А. А. Материалы и элементы электронной техники : Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев : Практикум / Полисан А. А. , Астахов В. П. - Москва : МИСиС, 2007. - 16 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_193.html (дата обращения: 22.11.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ практикуме рассматриваются принципы расчета режимов термического окисления, обеспечивающего заданную толщину маскирующей оксидной пленки, и режимов диффузии при формировании легированных слоев с заданными параметрами для кремниевых приборных структур. Излагается методика расчетов в программе Math Cad 2001. <br>Соответствует программе курса "Материалы и элементы электронной техники". <br>Предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника".